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博世研发碳化硅半导体 力求降落电动汽车当中电子装备发热量

更好的电池技术其实不是扩年夜电动汽车续航力的独一体例,芯片质料的重组可能使续航里程增加6%。博世打算从2020年开端生产碳化硅半导体,供应操纵更高效的电导率,来减少电动汽车和异化动力汽车中的电力电子装备在门路上浪费的电力。

博世表示,消耗者很容易将电动汽车行驶距简朴化,并以为这一切都取决于照顾的电池组有多年夜。但是,在实际世界中,具有一样年夜小电池的汽车可能有非常不合的行驶间隔。电源办理是影响行驶间隔最首要身分之一,特别是电池中存储的电能若何有效传输到机电。该过程最浪费的副感化之一是发热。电池,卖力功率节制和传输的电子装备和电动机本身都将一些能量转化为热量,而不是行驶里程。

博世研发的一种新型的碳化硅(SiC)半导体设想,导电性好过现有芯片,这要归功于其制造过程中包含了更多的碳原子。这意味着电子器件可以实现更高的开关频次,同时还可以减少热量情势的功耗。博世传播鼓吹,这类芯片将动力转化为热量的问题减少50%。

该公司表示,在电动汽车中利用不异年夜小的电池时,利用碳化硅半导体的电动汽车行驶间隔可以再进步6%。比方,在额外250英里的电动车辆中,利用碳化硅半导体的电动汽车行驶间隔将增加15英里。

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